• BL8203_V1.0.pdf

  （Documentation）

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• 悬浮绝对电压250V
• 电源电压工作范围:10.0-20.0V
• 兼容3.3/5/15V输入逻辑
• 驱动电流:+1.0A/-1.5A(typ.)
• 死区时间: 200ns (typ.)
• 集成VCC和VBS欠压保护
• SOP8 封装

BL8203是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计，可在高达250V 电压下工作。 BL8203内置VCC和VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。 BL8203输入脚兼容3.3-15.0V输入逻辑， 集成防穿通死区时间为200ns，驱动能力为+1.0A/-1.5A。 BL8203采用SOP8封装。