BLG80T65FDL7 采用先进的沟槽型场截止（T-FS）技术，具备低集电极 - 发射极饱和压降 VCE (sat)、优化的开关性能以及低栅极电荷 Qg 等特点。该 IGBT 器件适用于功率因数校正（PFC）、不间断电源（UPS）以及高开关频率应用场景

• 快速开关
• 低饱和压降 VCE (sat)
• 正温度系数
• 快恢复反并联二极管
• 符合 RoHS 环保标准

• BLG80T65FDL7_V02_en.pdf

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