BLG80T65FDH7 采用先进的沟槽型场截止（T-FS）技术，具有低饱和压降 VCE (sat)、优化的开关性能以及低栅极电荷 Qg 等特点。该 IGBT 适用于光伏、UPS 不间断电源、充电器以及中高开关频率应用场合。

• 快速开关
• 低饱和压降 VCE (sat)
• 正温度系数
• 快恢复反并联二极管
• 符合 RoHS 环保标准

• BLG80T65FDH7-F_V02_en.pdf

  产品技术资料帮助

  查看全部>